张国成 稀土材料专家

1956年毕业于昆明工学院，获冶金专业学士学位。教授级高级工程师，中国工程院院士，享受国务院*特殊津贴专家。1997年获得何梁何利科技进步奖。

张国成院士长期致力于稀土研究工作，六十年代创立了氧化焙烧—稀硫酸浸出法处理氟碳铈矿工艺,发明了用碱度法生产荧光级氧化铕技术；七十年代发明了硫酸强化焙烧冶炼包头混合型稀土精矿工艺（第二代酸法）；八十年代研究成功用P204从硫酸稀土溶液中萃取分离稀土新工艺（第三代酸法），降低稀土生产成本约25%;九十年代发明电解还原—碱度法生产高纯氧化铕新工艺，整体技术达到世界领先水平。以上成果均在稀土工业生产中广泛应用，并成为我国稀土冶炼分离的主要生产流程，为中国的稀土工业发展、为确立中国稀土工业在世界上的重要地位做出了重大贡献。张国成院士获奖成果共15项，其中国家奖4项，省部级奖11项；在重要学术刊物上发表论文30余篇，出版专著（译著等）1部，合著3部。

黄小卫 稀土材料专家

1983年毕业于中南大学， 2008年获得东北大学冶金工程专业博士学位。教授级高级工程师，中国工程院院士,享受国务院*特殊津贴专家。现任有研科技集团有限公司首席专家、稀土材料国家工程研究中心主任、有研稀土新材料股份有限公司副总经理。先后获得中国首届“杰出工程师奖”、“全国优秀科技工作者”、“全国劳动模范”、“全国创新争先奖”等荣誉。

黄小卫院士长期致力于稀土矿冶炼、稀土分离提纯和稀土化合物材料的研究、工程化开发及推广应用，在稀土资源高效清洁提取、绿色分离提纯等方面取得多项创新成果，如包头混合型稀土矿固磷-硫酸强化焙烧-萃取分离技术、非皂化萃取分离稀土新技术、碳酸氢镁皂化萃取分离稀土原创技术、离子型稀土原矿浸萃一体化技术等专利技术，在北方稀土集团、中国稀有稀土、厦门钨业等40多家大型稀土企业推广应用，从源头消除氨氮废水及放射性污染，镁盐废水和CO2有效循环利用，大幅提升稀土资源利用率，有力推动了我国稀土资源高效清洁开发利用，引领稀土行业绿色发展。创新成果先后获得国家技术发明二等奖1项、国家科技进步二等奖和三等奖各1项，中国专利优秀奖4项、省部级一等奖8项；获授权发明专利82项（国外19项，第一发明人32项），发表论文160余篇。

黄小卫院士兼任中国稀土学会稀土化学及湿法冶金专业委员会主任，科技部先进稀土材料产业技术创新战略联盟秘书长，第三届国家新材料产业发展战略咨询委员会委员等。

李红卫 稀土材料专家

1982年毕业于东北大学，获有色金属冶金专业学士学位。教授级高级工程师，享受国务院*特殊津贴专家。现任有研科技集团有限公司首席专家。2018年获得“杰出工程师奖”。

李红卫教授长期致力于稀土冶金及稀土磁性材料的研究开发工作。先后负责了20余项国家重点科技攻关、国家863、国家自然科学基金以及北京市重点项目。获得省部级及以上科技奖励21项，其中国家技术发明二等奖2项，三等奖1项，中国专利优秀奖3项，省部级一等奖5项；获授权发明专利113项，其中国外发明专利27项；发表论文55篇，论著2册（合）。

李红卫教授曾先后担任中国稀土行业协会、中国稀土学会常务理事，中国稀土学会专家组成员，中国有色金属行业协会稀土分会副会长等。

王兴权 电子材料专家

1999年毕业于中国矿业大学，获机械设计及理论专业硕士学位。教授级高级工程师，享受国务院*特殊津贴专家。现任有研新材料股份有限公司*委*、董事、总经理，有研亿金、有研稀土、有研医疗董事长。

王兴权教授长期致力于半导体用超高纯金属及溅射靶材、形状记忆合金材料研究开发和产业化工作。在半导体材料及技术领域，开发出6N5超高纯铜、5N高纯钴深度提纯、低缺陷熔铸工艺，建立了国内首条微电子级超高纯铜生产线及首条超高纯钴生产线，实现了我国半导体用超高纯原材料的自主供应。深入研究大尺寸溅射靶材制备技术，实现了大尺寸溅射靶材微观组织的细晶/超细晶均匀控制，设计开发了多层焊接界面及异形接触面结构设计，实现大面积异质金属高可靠焊合，建成国内唯一一条垂直一体化集成电路溅射靶材生产线，及国内第一条Cu、Ti大型平面靶材生产线，全面打破了我国微电子材料供应长期被国外垄断的局面，大幅降低了我国信息产业的生产成本，提升了国际竞争力和发展速度。研制开发了中温、高温双程效应形状记忆合金，实现了高可靠智能材料的国产化；设计开发了多款介入支架系统等医疗器械，实现进口替代，建成100吨/年形状记忆合金生产线。

主持和参加了国家02科技重大专项、国家科技支撑计划，国家863计划等十多项国家重大项目，主持实施“高端装备用高纯金属/合金溅射靶材生产线建设”、“高性能形状记忆合金及智能结构材料”等4个重大新材料产业化项目。获省部级奖3项；获授权专利23项，其中发明专利19项；发表论文11篇；出版著作2项；起草国家和行业标准5项。

王兴权教授兼任中国黄金协会常务理事，中国有色金属学会贵金属学术委员会副主任委员。

于敦波 稀土材料专家

1996年毕业于山东大学， 2005年获得北京有色金属研究总院材料专业博士学位。教授级高级工程师，享受国务院*特殊津贴专家。现任有研新材料股份有限公司副总经理、有研稀土新材料股份有限公司总经理。获得中国科协“求是杰出青年成果转化奖”、茅以升科学技术奖-北京青年科技奖，先后入选国家中青年科技创新领军人才、国家高层次人才特殊支持计划领军人才（万人计划）等。

于敦波教授长期致力于稀土金属及磁性材料的研究开发。先后主持863重大专项、国际科技合作与交流专项等国家级、省部级项目十余项课题。获得国家技术发明奖二等奖1项，中国有色金属工业科学技术一等奖2项、二等奖一项；申请发明专利100余项，获得授权发明专利56项。

于敦波教授兼任中国稀土行业协会常务理事，中国材料研究学会青年工作委员会常务理事，中国稀土学会理事和中国稀土学会永磁专业委员会委员等。

颜世宏 稀土材料专家

1991年毕业于北京科技大学，获电冶金专业硕士学位。教授级高级工程师。现任稀土材料国家工程研究中心副主任、有研稀土新材料股份有限公司常务副总经理。

颜世宏教授长期致力于稀土金属及合金的冶炼工艺、设备及稀土冶金应用基础理论和工程化技术研究工作。先后负责和参加了十余项课题的研究工作。申请发明专利38项，已授权专利22项；获得国家科技进步二等奖1项、部级科技进步一等奖2项、部级科技进步三等奖4项、部级科技进步四等奖1项；发表学术论文22篇。

颜世宏教授兼任中国稀土学会理事，中国稀土学会专家组成员等职。

李宗安 稀土材料专家

1984年毕业于中南大学，获冶金物理化学专业学士学位。教授级高级工程师。现任稀土材料国家工程研究中心副主任，有研稀土新材料股份有限公司副总经理。

李宗安教授长期致力于稀土金属及合金的冶炼工艺、设备及稀土冶金应用基础理论和工程化技术研究工作。先后主持或参加十余项课题的研究工作。申请发明专利41项，已授权23项；获得国家发明二等奖1项，省部级奖项8项；发表学术论文28篇。

李宗安教授兼任中国稀土学会理事，中国稀土学会稀土火法冶金专业委员会主任等职。

吕保国 电子材料专家

1993年毕业于清华大学，获机械工程专业硕士学位。教授级高级工程师。现任有研亿金新材料有限公司副总经理、北京翠铂林有色金属技术开发中心有限公司总经理。

吕保国教授长期致力于贵金属功能材料的研究与产品开发。主持或骨干参加了科技部863重点项目、科技部02重大专项、发改委产业化示范工程项目、建设项目、国防科工局国债项目、北京市经信委建设项目、北京市发改委项目等。吕保国教授获得已授权实用新型专利6项，已授权发明专利6项，申请发明专利一项。国防科学技术奖三等奖一项、北京市科学技术二等奖一项；发表论文20余篇。

吕保国教授兼任中国金属学会会员，中国材料学会会员，中国有色金属学会贵金属学术委员会委员，中国黄金学会铂金分会会员，国际贵金属学会（IPMI）会员，上海黄金交易所理事会委员。

熊晓东 电子材料专家

1997年毕业于东北大学，获冶金物理化学专业博士学位。教授级高级工程师。享受国务院*特殊津贴专家。现任有研亿金新材料有限公司副总经理。

熊晓东教授长期致力于高纯金属、贵金属的冶金提纯及微电子、光电子材料加工研究。先后主持国家科技重大专项、国家科技支撑计划等国家重大科研项目10余项。熊晓东教授获得授权专利48项，其中发明31项，实用新型17项，制定国家标准10余项；获得部级三等奖1项；发表论文20余篇。

熊晓东教授兼任第7届中国材料研究学会青年委员会理事，全国有色金属标准化技术委员会贵金属分会委员。

李勇军 电子材料专家

1985年7月毕业于中南大学，获金属材料及热处理专业学士学位。教授级高级工程师。现任有研亿金新材料有限公司副总工程师。

李勇军教授长期致力于半导体高纯金属靶材、大容量垂直磁记录SUL靶材、大面积镀膜旋转靶材、贵金属功能材料的研究开发与生产。在深亚微米大规模集成电路用磁性Co靶的研究方面创新技术，使有研亿金成为全球能提供高透磁率高纯Co靶的第二个供应商；同时带领研发人员在300mm晶圆制造用超高纯Cu、NiPt等靶材的研制方面实现了技术突破，提高了我国电子信息材料的国际竞争力，并创造了可观的经济效益。

李勇军教授主持及参与国家项目10余项、军品配套项目10余项，获得部级科技奖7项。2012年、2014年和2016年参与编制的高纯金属靶材及磁性溅射靶材相关国家及行业标准分别获得一、三等奖；《集成电路先进封装用超高纯铝合金溅射靶材》2014年获第八届中国半导体创新产品和技术（半导体专用材料）二等奖（排名第5）；《集成电路90-65nm制程用超高纯铜靶材制造技术及产业化》2013年获科技创新奖（成果类，排名第6）。发表论文20余篇，授权专利29项，其中发明19项，实用新型10项，制修订国家及行业标准6项。

霍承松 光学、电子材料专家

1998年毕业于中国科技大学，获凝聚态物理专业学士学位。 2008年毕业于北京工业大学，获材料工程硕士学位。教授级高级工程师。现任有研新材料股份有限公司副总经理、有研光电新材料有限责任公司总经理。

霍承松教授长期致力于红外光学材料和半导体材料的研究开发工作，是我国CVD ZnS和CVD ZnSe材料的主要研发者之一。承担和参研解放军装备发展部、国防科工局等科研项目20余项，累计获得国家纵向经费约1.4亿元。带领团队在国内首次研制成功大尺寸CVD ZnS、CVD ZnSe等先进红外光学材料，为我国陆海空天20多种武器装备提供了性能卓越、安全可靠的关键材料。推动建成了国内唯一的CVD ZnS和CVD ZnSe生产线，年产能力达到10吨。研究成果先后获国防科技进步二等奖1项，有色金属工业科学技术一等奖2项、二等奖1项，授权专利12项，在国内外核心期刊上发表论文20余篇。

郑安生 光学、电子材料专家

1988年毕业于兰州大学，获固体物理专业硕士学位。教授级高级工程师, 享受国务院*特殊津贴专家。现任有研光电新材料有限责任公司特级专家。荣获2011年度廊坊十大科技创新人物称号。

郑安生教授长期致力于化合物半导体材料的研究开发工作。先后承担国家863计划、科技支撑计划、国家高技术产业化示范工程项目10多项。在国内首家研制出Φ2”和Φ3” HB-GaAs晶片，并形成了大规模生产，成为世界最大的HB-GaAs晶片供应商。在国内首家研制出N型掺Te GaSb晶片和P型掺Zn GaSb晶片，为我国2-4um波段激光器和探测器的研发做出巨大贡献。在国内首家研制出Φ2”、Φ2.5” GaP和InAs晶片，GaP晶片形成了大规模生产，成为世界第三大供应商。郑安生教授申请并授权专利6项，获部级科研成果5项；获得部级科技进步一等奖1项，三等奖3项；发表论文约40篇，专著和译著各1部。

郑安生教授兼任国家半导体材料工程研究中心副主任，中国有色金属学会半导体材料学术委员会委员，全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会委员，中国电子材料行业协会光电子分会副理事长，《半导体技术》杂志理事。

杨海 光学、电子材料专家

1990年毕业于东南大学，获微电子技术专业学士学位。2003年毕业于中国人民大学，获工商管理学硕士。教授级高级工程师，享受国务院*特殊津贴专家。现任有研新材料股份有限公司副总经理、董事会秘书，有研国晶辉新材料有限公司总经理。

杨海教授长期致力于红外光学材料和半导体材料的研究、生产及管理工作。主持研制成功CVDZnS、CVD ZnSe、硫系玻璃、蓝宝石等先进红外光学材料以及空间太阳电池用低位错锗单晶，并建成我国第一条贰陆晶体材料生产线，产品填补国内空白，实现进口替代。杨海教授发表科技论文10余篇，获得授权专利30余项，先后获得省部级一等奖5项、二等奖3项、三等奖1项、北京市人民*“北京市科学技术奖”三等奖1项、国防科技工业协作配套先进个人称号、“神华杯”第二届*企业青年创新优秀奖。

杨海教授教授兼任中国有色金属工业协会铟铋锗分会副会长。

王铁艳 电子材料专家

1983年毕业于中南大学，获冶金分析化学专业学士学位。教授级高级工程师。

王铁艳教授长期致力于光纤用高纯化学品的研究和生产工作。主持完成国家发改委光纤用四氯化锗产业化示范工程建设项目，建成我国第一条年产40吨高纯四氯化锗生产线，产品填补国内空白，实现进口替代。王铁艳教授获得授权专利16项；获得部级一等奖3项、二等奖2项；发表科技论文10余篇。

李君涛 医用材料专家

2008年7月毕业于中国石油大学（北京），获得化工材料专业博士学位，教授级高级工程师。现任有研医疗器械（北京）有限公司副总经理。2016年获得“昌平区高端人才发展英才奖” 荣誉称号；2018年获得“昌聚工程创新类高层次人才”荣誉称号。

李君涛教授长期致力于形状记忆合金材料研发及其产业化，以及高性能医疗器械设计与开发研究及其产业化工作，在生物医用金属材料的微观组织控制、热拉成型、相变研究及表面处理等方面有良好的研究基础，取得了大量创新性研究成果，技术成果主要应用于心血管支架、骨科和齿科等医用领域。先后主持及骨干参加国家卫计生委和工信部强基工程项目等课题8项；获得部级二等奖2项；论文30余篇；出版著作1部；申报专利78项；制修订国家、行业和企业标准11项。主持申报医疗器械注册证16项。

李君涛教授兼任全国外科植入物和矫形器械标准技术委员会心血管植入物分技术委员会（SAC/TC110/SC2）委员，中国医药教育协会心脏外科专业委员会委员，中国仪器仪表学会医疗仪器分会委员，全国卫生产业企业管理协会动物实验产学研及生物学评价分会常务理事。

高宝东 医用材料专家

1985年毕业于长沙有色金属专科学校金相及热处理专业。现任有研医疗器械（北京）有限公司副总经理。

高宝东先生长期致力于形状记忆合金材料的研究开发及其产业化，取得创新性的成果，提出并主持了TiNi基记忆合金熔炼工艺改进工作，将沿用（1978～2003）20余年的石墨坩埚熔炼改为氧化钙坩埚熔炼，使合金品质显著提高，目前合金铸锭品质属国内领先水平。

先后主持过‘十五’军工配套课题中形状记忆合金相关项目3项、国债技术改造项目《形状记忆合金生产线技术改造》建设等课题项目；取得军品工程化项目1项，记忆合金管接头横向科研项目4项。荣获部级科技成果三等奖2项，有色协会科技成果一等奖1项。

何金江 电子材料专家

2006年毕业于清华大学，获材料科学与工程专业博士学位。教授级高级工程师。现任有研新材料股份有限公司战略投资部部长。北京市科技新星，获得 “北京市优秀青年人才”（第七批）称号和“北京市优秀青年工程师”（第二十二届）称号，2015年获得中国科协求是杰出青年成果转化奖，2018年获得“杰出工程师青年奖”。

何金江教授长期致力于电子信息用高纯薄膜材料的研究开发工作。承担和作为骨干参加了国家级科研及产业化项目20余项，在高纯金属/合金/化合物材料的微观组织控制、连接及成型加工等方面有良好的研究基础，技术成果应用于集成电路、新型显示等领域。主导和参与研制的靶材产品先后三次获得中国半导体协会创新产品和技术奖。何金江教授授权专利50余项, 制定国家/行业标准12项、ASTM标准2项，3项获技术标准优秀奖；获省部级科学技术一等奖2项，二、三等奖各1项；发表学术论文30余篇。

冯德伸 光学、电子材料专家

1990年7月毕业于南京大学，获半导体物理学士学位。教授级高级工程师。现任有研光电新材料有限责任公司总工程师兼锗晶体生产部经理。

冯德伸教授长期致力于锗晶体的测试、生产、研制等工作。先后承担多项国家军工科研项目的研制工作，研制成功国内第一根直径达到300mm的红外锗单晶和国内第一根4英寸低位错锗单晶。主持修订2项锗材料国家标准，参与多项锗材料国家标准以及行业标准的制定和修订工作。冯德伸教授获国家科技进步二等奖1项和部级科技进步二等奖1项，三等奖3项；发表多篇学术论文。